雪崩光电二极管简介

高速响应

光测量

这些雪崩光电二极管(apd)是具有内部增益机制的硅光电二极管。与传统的光电二极管一样，吸收入射光子会产生成对的电子和空穴。高反向偏置电压产生一个强大的内部电场，加速电子通过硅晶格，并通过碰撞电离产生次级电子。由此产生的电子雪崩能产生几百倍的放大增益。

硅雪崩光电二极管通常用于光电倍增管的光信号太强或传统光电二极管的光信号太弱的时候。硅雪崩光电二极管经常用于高速应用，因为雪崩过程产生的额外噪声仍然低于传统光电二极管产生的外部放大器连接到高频工作。典型的应用包括微光测量、光谱学、测距和空间/光纤通信。我们的短波和近红外探测类型是封闭在一个金属封装与一个透明的玻璃窗口。

分别用于800 nm和600 nm波长的近红外和紫外/可见硅雪崩光电二极管。在λ=800nm和λ=650nm处分别获得了近红外和紫外/可见硅雪崩光电二极管的增益。测量终端电容与列表中的增益。